HAT2028RJ详情
Renesas HAT2028RJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
35 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HAT2028RJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Hitachi Ltd
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HITACHI LTD
Risk Rank
5.31
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
4 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
15 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
100 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
4 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
辐射硬化
无
HAT2028RJ拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
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