Renesas HAT2054M-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件包装

6-TSOP

Continuous Drain Current Id

6.3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1.05W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

150°C

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620 pF @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

信道型

N

场效应管特性

-