Renesas HAT2160H

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

20 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

HAT2160H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.36

Drain Current-Max (ID)

60 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

30 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

额定电流

60 A

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

60 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

60 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0041 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

输入电容

7.75 nF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

2.6 mΩ

无铅

含铅