Renesas HAT2172N-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerSOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-LFPAK-iV

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

20W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2420 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

场效应管特性

-