Renesas HAT2175H

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

28 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

HAT2175H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

15 A

包装

Tape & Reel

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.2 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

15 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.046 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

辐射硬化

无