Renesas HAT2200WP-EL-E

包装/外壳

Cylinder

表面安装

YES

供应商器件包装

--

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PWSN0008DA-A8

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2200WP-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.39

Part Package Code

WPAK

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

MediaSensor™

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

5V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

输出量

0.5 V ~ 4.5 V

引脚数量

8

终端样式

Cable 3

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

不合格

输出类型

Analog Voltage

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

准确性

±0.5%

晶体管应用

SWITCHING

工作压力

2000 PSI (13789.51 kPa)

压力类型

Absolute

端口样式

Threaded

极性/通道类型

N-CHANNEL

端口尺寸

Male - M20 x 1.5

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

最大压力

--

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

特征

Amplified Output, Temperature Compensated