Renesas HCTS20DMSR

包装/外壳

Cylinder

表面安装

NO

供应商器件包装

--

终端数量

14

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.74

Prop.

22 ns

Load Capacitance (CL)

50 pF

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP14,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HCTS20DMSR

Package Description

DIP, DIP14,.3

Package Style

IN-LINE

Usage Level

Military grade

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

MediaSensor™

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY

HTS代码

8542.39.00.01

子类别

Gates

技术

CMOS

电压 - 供电

8 V ~ 30 V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

2

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

输出量

1 V ~ 5 V

终端样式

12 Integral Harness

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

不合格

输出类型

Analog Voltage

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

准确性

±0.5%

家人

HCT

输入数量

4

工作压力

750 PSI (5171.07 kPa)

压力类型

密封压力表

端口样式

Threaded

端口尺寸

Male - 1/4 (6.35mm) NPT

逻辑IC类型

NAND GATE

最大 I(ol)

0.004 A

筛选水平

38535V;38534K;883S

最大压力

2250 PSI (15513.2 kPa)

传播延迟(tpd)

20 ns

施密特触发器

NO

特征

--

总剂量

200k Rad(Si) V