HGTD8P50G1详情
Renesas HGTD8P50G1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, A
供应商器件包装
D-5A
Package
Bulk
Base Product Number
1N5622
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
系列
-
技术
Standard
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 1000 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3 V @ 3 A
工作温度 - 结点
-65°C ~ 200°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1000 V
平均整流电流(Io)
1A
电容@Vr, F
-
反向恢复时间(trr)
2 µs
HGTD8P50G1拓展信息








哦! 它是空的。