Renesas HZK12CTR-E

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AA, DO-4, Stud

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-203AA (DO-4)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

20

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HZK12CTR-E

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

8.25

系列

Military, MIL-PRF-19500/260

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

HTS代码

8541.10.00.50

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 200 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2.2 V @ 10 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

200 V

工作测试电流

5 mA

电容@Vr, F

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