Renesas IDT6116SA35P

表面安装

NO

终端数量

24

Package Description

0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP24,.6

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT6116SA35P

Part Package Code

DIP

Risk Rank

8.56

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Number of Words

2048 words

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

24

JESD-30代码

R-PDIP-T24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.1 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.699 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

16384 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

宽度

15.24 mm

长度

31.75 mm