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技术文档
型号
IDT7006S35G
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-IDT7006S35G
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC SRAM 128KBIT 35NS 68PGA
起订量
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IDT7006S35G详情
技术参数
Renesas IDT7006S35G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
68
Package Description
SPGA, PGA68,11X11
Package Style
GRID ARRAY, SHRINK PITCH
Number of Words Code
16000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
PGA68,11X11
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SPGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.03
Part Package Code
PGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
PERPENDICULAR
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
S-CPGA-P68
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.34 mA
组织结构
16KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.207 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
131072 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
输出启用
YES
宽度
29.464 mm
长度
达到SVHC
not_compliant
IDT7006S35G拓展信息
公司资质
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