Renesas IDT7187S25DB

安装类型

SMD

表面安装

NO

终端数量

22

Number of I/Os

79

MSL

3

EEPROM

none

RAM

80kB

RoHS

有

Package Description

0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

64000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP22,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7187S25DB

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.74

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

操作温度

-40...+85°C

系列

ATSAM

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

引脚数量

22

JESD-30代码

R-GDIP-T22

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

注意

-

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

连接方式

I2C, IrDA, SPI, UART/USART

电源电流-最大值

0.13 mA

组织结构

64KX1

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

65536 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

NO

宽度

7.62 mm

长度

27.051 mm

达到SVHC

not_compliant