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'idt72v01l25j'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	表面安装	终端数量																								包装	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	待机电流-最大值	记忆密度	并行/串行	内存IC类型	输出启用	周期	长度
IDT72V01L25J	Integrated Device Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
IDT72V01L25J	Renesas	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	32	PLASTIC, LCC-32	CHIP CARRIER	1	512	PLASTIC/EPOXY	LDCC32,.5X.6	20	25 ns	QFJ	5.23	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	Obsolete	Integrated Device Technology Inc	RECTANGULAR	QCCJ	3.3 V	512 words	28.5 MHz	IDT72V01L25J	无	70 °C	Non-Compliant		e0	无	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)	70 °C	0 °C	RETRANSMIT	8542.32.00.71	FIFOs	CMOS	QUAD	J BEND	225	1	1.27 mm	not_compliant	32	R-PQCC-J32	不合格	3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V	ASYNCHRONOUS	0.05 mA	25 ns	512X9	3-STATE	3.556 mm	9	0.0003 A	4608 bit	PARALLEL	其他先进先出	NO	35 ns	13.9954 mm	11.4554 mm
IDT72V01L25JI8	Renesas	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装		Non-Compliant		Tape & Reel (TR)					85 °C	-40 °C																				25 ns
IDT72V01L25J8	Renesas Electronics America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	32	Obsolete	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	QFJ	PLASTIC, LCC-32	5.25	25 ns	28.5 MHz	1	512 words	512	70 °C	PLASTIC/EPOXY	QCCJ	LDCC32,.5X.6	RECTANGULAR	CHIP CARRIER	3.3 V	20		IDT72V01L25J8	无		e0	无	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)			RETRANSMIT	8542.32.00.71			QUAD	J BEND	225	1	1.27 mm	not_compliant	32	R-PQCC-J32	不合格	3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V	ASYNCHRONOUS	0.05 mA		512X9	3-STATE	3.556 mm	9	0.0003 A	4608 bit	PARALLEL	其他先进先出	NO	35 ns	13.9954 mm	11.4554 mm
IDT72V01L25JI	Renesas Electronics America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	32	无	Obsolete	INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC	QFJ	PLASTIC, LCC-32	7.97	25 ns	28.5 MHz	1	512 words	512	85 °C	-40 °C	PLASTIC/EPOXY	QCCJ	LDCC32,.5X.6	RECTANGULAR	CHIP CARRIER	3.3 V	20		IDT72V01L25JI		e0	无	EAR99	Tin/Lead (Sn85Pb15)				8542.32.00.71			QUAD	J BEND	225	1	1.27 mm	not_compliant	32	R-PQCC-J32	不合格	3.6 V	3.3 V	INDUSTRIAL	3 V	ASYNCHRONOUS	0.05 mA		512X9	3-STATE	3.556 mm	9	0.0003 A	4608 bit	PARALLEL	其他先进先出	NO	35 ns	13.9954 mm	11.4554 mm