Renesas NE3503M04-T2-A

包装/外壳

SOT-343F

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

M04

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

4 V

Voltage Rating (DC)

4 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

4 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NE3503M04-T2-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

0.015 A

包装

Tape & Reel (TR)

系列

-

JESD-609代码

e6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

最高工作温度

125 °C

HTS代码

8541.21.00.95

额定电流

70mA

最大功率耗散

125 mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

70 mA

频率

12 GHz

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

测试电流

10 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

10 mA

漏源电压 (Vdss)

4 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

HFET

连续放电电流(ID)

70 mA

栅极至源极电压(Vgs)

-3 V

增益

12 dB

DS 击穿电压-最小值

3 V

功率 - 输出

-

场效应管技术

HETERO-JUNCTION

噪声图

0.45 dB

电压-测试

2 V

最高频段

Ku波段

测试电压

2 V

功率增益-最小值(Gp)

10.5 dB

无铅

无铅