Renesas NE4210S01-T1B

包装/外壳

4-SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

SMD

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

4 V

Package Description

DISK BUTTON, O-XRDB-G4

Package Style

磁盘按钮

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NE4210S01-T1B

Package Shape

ROUND

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.07

Drain Current-Max (ID)

0.015 A

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

额定电流

15mA

端子位置

RADIAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

230

频率

12GHz

JESD-30代码

O-XRDB-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

SOURCE

测试电流

10 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

HFET

增益

13dB

DS 击穿电压-最小值

3 V

功率 - 输出

-

场效应管技术

HETERO-JUNCTION

噪声图

0.5dB

电压-测试

2 V

最高频段

Ku波段

功率增益-最小值(Gp)

11 dB

达到SVHC

compliant