Renesas NNCD3.3D(T1-A)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-76, SOD-323
表面安装
YES
供应商器件包装
2-Super Mini Mold
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
厂商
Renesas
Product Status
Obsolete
Package Description
R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PTSP0002ZB-A2
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NNCD3.3D-T1-A
Power Dissipation (Max)
0.2 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Breakdown Voltage-Nom
3.3 V
Risk Rank
5.84
Part Package Code
SSP
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
哑光锡
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-G2
Brand Name
Renesas
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
电源线保护
无
电压 - 击穿
3.1V
功率 - 脉冲峰值
85W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
-
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
-
电压 - 反向断态(典型值)
1V (Max)
单向通道
1
电容@频率
220pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
85 W
击穿电压-最小值
3.1 V
击穿电压-最大值
3.5 V