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技术文档
型号
NP20N10YDF-E2-AY
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-NP20N10YDF-E2-AY
商品类别
无类别的
封装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power MOSFETs for Automotive
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NP20N10YDF-E2-AY详情
技术参数
Renesas NP20N10YDF-E2-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
TO-252AA
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SUD08
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Product Status
Obsolete
Risk Rank
5.84
Part Package Code
HSON
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Package Code
PLSN0008KA-A8
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
TrenchFET®
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
Brand Name
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
155mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
450 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
61 W
场效应管特性
-
NP20N10YDF-E2-AY拓展信息
公司资质
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