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1

￥10.340299
10

￥9.755002
100

￥9.20283
500

￥8.681918
1000

￥8.190488

Renesas NP32N055SHE-E1-AY

Name: NP32N055SHE-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: 2038-NP32N055SHE-E1-AY
Price: 10.34 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NP32N055SHE-E1-AY

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-NP32N055SHE-E1-AY

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252

起订量

--最小包装量--

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NP32N055SHE-E1-AY Renesas TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,32A I(D),TO-252

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NP32N055SHE-E1-AY详情

技术参数

Renesas NP32N055SHE-E1-AY重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

1 Week
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
底架

表面贴装
引脚数

3
供应商器件包装

TO-252 (MP-3ZK)
Continuous Drain Current Id

32
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A (Tc)
厂商

Renesas Electronics America Inc
Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta), 66W (Tc)
Product Status

Obsolete
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

29 ns
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

NP32N055SHE-E1-AY
Manufacturer

Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank

5.82
操作温度

175°C (TJ)
系列

-
包装

Tape & Reel
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.2 W
技术

MOSFET (Metal Oxide)
Reach合规守则

unknown
接通延迟时间

16 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32 nC @ 10 V
上升时间

11 ns
漏源电压 (Vdss)

55 V
连续放电电流(ID)

32 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
输入电容

1.6 nF
信道型

N
场效应管特性

-
最大rds

25 mΩ
辐射硬化

无

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