Renesas NP55N04SLG-E2-AY

安装类型

Free Hanging (In-Line)

表面安装

YES

越来越多的功能

-

外壳材料

铝合金

插入材料

Neoprene

终端数量

2

后壳材料，电镀

Aluminum Alloy, Olive Drab Cadmium

晶体管元件材料

SILICON

Contact Finish Mating

Silver

Voltage, Rating

-

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

CIR06

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Contact Materials

Copper Alloy

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP55N04SLG-E2-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.7

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

55 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

CIR

无铅代码

有

终端

焊杯

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Plug, Male Pins

定位的数量

8

颜色

橄榄色

应用

-

HTS代码

8541.29.00.95

紧固类型

卡口锁

子类别

FET 通用电源

额定电流

13A

端子位置

SINGLE

方向

N (Normal)

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

-

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

环境防护

外壳完成

橄榄色镉

引脚数量

4

外壳尺寸-插入

20-7

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

-

箱体转运

DRAIN

电缆开口

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

77 W

特征

Backshell, Coupling Nut

触点表面处理厚度 - 配套

-

材料可燃性等级

-

达到SVHC

compliant