Renesas NP80N03MLE-S18-AY

工厂交货时间

1 Week

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

60 ns

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 120W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AN-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP80N03MLE-S18-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.43

Part Package Code

MP-25K

Drain Current-Max (ID)

80 A

包装

Bulk

操作温度

175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72 nC @ 10 V

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

输入电容

3.9 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

120 W

场效应管特性

-

最大rds

7 mΩ