Renesas NP80N04PDG-E1B-AY

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

TO-263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

74 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AL-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP80N04PDG-E1B-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.82

Part Package Code

MP-25ZP

Drain Current-Max (ID)

80 A

包装

Tape & Reel

操作温度

175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5mOhm @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135 nC @ 10 V

上升时间

18 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

输入电容

6.9 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

115 W

场效应管特性

-

最大rds

4.5 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant