Renesas NP82N06PDG-E1-AY

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

79 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP82N06PDG-E1-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.31

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

82 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.8 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

接通延迟时间

28 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

22 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

82 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270 A

输入电容

5.7 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

6.7 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

无铅