Renesas NP82N06PLG-E1-AY

包装/外壳

0505 (1412 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

0505

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AL-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP82N06PLG-E1-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.39

Part Package Code

MP-25ZP

Drain Current-Max (ID)

82 A

操作温度

-65°C ~ 155°C

系列

RCP

尺寸/尺寸

0.055 L x 0.050 W (1.40mm x 1.27mm)

容差

±2%

JESD-609代码

e3

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±150ppm/°C

电阻

25 Ohms

端子表面处理

哑光锡

组成

厚膜

功率(瓦特)

1.4W

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

失败率

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

82 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

143 W

特征

Moisture Resistant

座位高度(最大)

0.025 (0.64mm)

达到SVHC

compliant