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技术文档
型号
NP82P04PLF-E1-AY
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-NP82P04PLF-E1-AY
商品类别
无类别的
封装
4-SMD, No Lead
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power MOSFETs for Automotive
起订量
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NP82P04PLF-E1-AY详情
技术参数
Renesas NP82P04PLF-E1-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
--
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.34
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
82 A
系列
Xinger II®
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
应用
通用型
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
频率
2.65GHz ~ 2.8GHz
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
50W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
246 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
插入损耗
0.25dB
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
隔离
20dB
回报损失
耦合器类型
Standard
耦合因素
NP82P04PLF-E1-AY拓展信息
公司资质
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