注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NP88N04MHE-S18-AY
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-NP88N04MHE-S18-AY
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
NP88N04MHE-S18-AY详情
技术参数
Renesas NP88N04MHE-S18-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
88 A
Part Package Code
TO-220AB
Risk Rank
5.27
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.0043 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
352 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
562 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
288 W
达到SVHC
compliant
NP88N04MHE-S18-AY拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)