Renesas NP88N075EUE-E2-AY

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 288W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

88A (Tc)

Product Status

Obsolete

Package

Bulk

厂商

Renesas

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP88N075EUE-E2-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.26

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

88 A

操作温度

175°C

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5mOhm @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

75 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

352 A

DS 击穿电压-最小值

75 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-