Renesas NP90N04VDG-E1-AY

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

TO-252

Continuous Drain Current Id

90

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

74 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1.2W (Ta), 105W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

包装

卷带

操作温度

175°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.2 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

105

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4mOhm @ 45A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135 nC @ 10 V

上升时间

13 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

连续放电电流(ID)

90 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

6.9 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

4 mΩ

辐射硬化

无