Renesas RJF0410JPE-00#J3

包装/外壳

LDPAK-4

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

LDPAK

Package

Tape & Box (TB)

厂商

KEMET

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Typical Turn-On Delay Time

24.7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V

Pd - Power Dissipation

100 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 2.5 V, + 16 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

20 S

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Renesas Electronics

Brand

Renesas Electronics

Rds On - Drain-Source Resistance

13 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

7.44 ns

Id - Continuous Drain Current

40 A

系列

*

包装

Reel

操作温度

150°C

子类别

MOSFETs

技术

Si

电压 - 供电

不需要

输出的数量

1

输出类型

N-Channel

通道数量

1 Channel

界面

On/Off

最大输出电流

40A

输出配置

-

输入类型

Non-Inverting

开关类型

通用型

上升时间

99.3 ns

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

比率-输入：输出

1:1

电压-负荷

3.5V ~ 12V

故障保护

Current Limiting (Fixed), Over Temperature

Rds On(Typ)

11.3mOhm

特征

Latch Function

产品类别

MOSFET

宽度

10 mm

高度

4.4 mm

长度

10.2 mm