Renesas RJK03E1DNS-00#J5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-HWSON (3.3x3.3)

Continuous Drain Current Id

25

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

36 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

15W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

-

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

15 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

接通延迟时间

9.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.9mOhm @ 12.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.7 nC @ 4.5 V

上升时间

4.5 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

连续放电电流(ID)

25 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

2.3 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

6.9 MΩ

最大rds

6.9 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅