Renesas RJK03M9DNS-00#J5

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

8-HWSON (3.3x3.3)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

10W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

-

RoHS

Compliant

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

最大功率耗散

10 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.1mOhm @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

980 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

连续放电电流(ID)

14 A

输入电容

980 pF

场效应管特性

-

最大rds

11.1 mΩ