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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.017121
10
¥7.563326
100
¥7.135209
500
¥6.731326
1000
¥6.350309
UPA2451BTL-E1-A详情
Renesas UPA2451BTL-E1-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
底架
表面贴装
包装/外壳
6-VFDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
6
供应商器件包装
6-HWSON
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Product Status
Obsolete
厂商
Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A
Package
Bulk
Package Description
,
Manufacturer Package Code
PWSN0006KB-A6
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UPA2451BTL-E1-A
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.81
Part Package Code
HWSON
系列
-
无铅代码
有
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
Brand Name
Renesas
功率耗散
2.5 W
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.2nC @ 4V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
8.2 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.2 A
漏源击穿电压
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
20 mΩ
UPA2451BTL-E1-A拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







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