注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.309853
10
¥5.952696
100
¥5.615747
500
¥5.297876
1000
¥4.997992
UPA2593T1H-T1-AT详情
Renesas UPA2593T1H-T1-AT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Package Description
LEAD FREE, VSOF-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PVSF0008JB-A8
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UPA2593T1H-T1-AT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.81
Part Package Code
VSOF
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
系列
*
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.103 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
信道型
Dual N/P
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
UPA2593T1H-T1-AT拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







哦! 它是空的。