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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.211071
10
¥14.350065
100
¥13.537797
500
¥12.771506
1000
¥12.048594
UPA2802T1L-E2-AY详情
Renesas UPA2802T1L-E2-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
供应商器件包装
8-DFN3333 (3.3x3.3)
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Bezel Style
Metal Rectangle
Manufacturer Part Number
EB3P-LUN4-G
Lens Shape
Rectangular
Manufacturer
IDEC
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A (Ta)
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
Package Description
ROHS COMPLIANT, HVSON-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PVSN0008JD-A8
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.43
Part Package Code
HVSON
Drain Current-Max (ID)
18 A
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
端子类型
DIN, Screw
镜头颜色
Green
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0058 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
32.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.8 W
场效应管特性
-
灯型
LED
知识产权评级
IP65
UPA2802T1L-E2-AY拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
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