Renesas UPA650TT-E1-A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

供应商器件包装

6-WSOF

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

200mW (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

610 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

场效应管特性

-