UPA653TT-E1-A详情
Renesas UPA653TT-E1-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
6-WSOF
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A (Ta)
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.82
Part Package Code
WSOF
Manufacturer Part Number
UPA653TT-E1-A
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Package Code
PWSF0006JB-A6
Package Description
,
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
XPRESSO™ FXO-HC73
包装
Strip
尺寸/尺寸
0.295 L x 0.205 W (7.50mm x 5.20mm)
无铅代码
有
零件状态
活跃
类型
XO (Standard)
子类别
其他晶体管
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
3.3V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
98.0304MHz
频率稳定性
±25ppm
输出量
HCMOS
引脚数量
6
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
47mA
Brand Name
Renesas
电流 - 电源(禁用)(最大值)
--
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
165mOhm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.5 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.3 W
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
--
UPA653TT-E1-A拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
Renesas Electronics America
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