Renesas Electronics America 1SS82TD

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Power Dissipation (Max)

0.4 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

1

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.54

Package Description

O-LALF-W2

Ihs Manufacturer

HITACHI LTD

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer Part Number

1SS82TD

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.70

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

输出电流-最大值

0.2 A

JEDEC-95代码

DO-35

最大非代表Pk前进电流

1 A

反向电流-最大值

100 µA

反向恢复时间-最大值

0.1 µs