Renesas Electronics America HAT3015T-EL-E
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HAT3015T-EL-E
2038-HAT3015T-EL-E
集成电路(IC)
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大陆
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N/P Channel Power MOSFET
1最小包装量--
HAT3015T-EL-E详情
Renesas Electronics America HAT3015T-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HAT3015T-EL-E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
TSSOP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Manufacturer Package Code
PTSP0008JB-A8
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5 A
漏极-源极导通最大电阻
5.5 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
HAT3015T-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America
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