Renesas Electronics America 2SA1977-T1B-A

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT23-3 (TO-236)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SA1977-T1B-A

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.8

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Transition Frequency-Nom (fT)

8500 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

增益

12dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

12V

频率转换

8.5GHz

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

集电极-发射器电压-最大值

12 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

1 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

1.5dB @ 1GHz