Renesas Electronics America 2SD1306NDTL-E
- 收藏
- 对比
2SD1306NDTL-E
2038-2SD1306NDTL-E
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistors
1最小包装量--
2SD1306NDTL-E详情
Renesas Electronics America 2SD1306NDTL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SD1306NDTL-E
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Package Code
MPAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Manufacturer Package Code
PLSP0003ZB-A3
Risk Rank
5.29
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
JESD-609代码
e6
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.7 A
最小直流增益(hFE)
250
集电极-发射器电压-最大值
15 V
2SD1306NDTL-E拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







哦! 它是空的。