Renesas Electronics America 2SK3147L-E
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2SK3147L-E
2038-2SK3147L-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Nch Single Power MOSFET 100V 5A 130mohm DPAK(L)-(2)/TO-251
1最小包装量--
2SK3147L-E详情
Renesas Electronics America 2SK3147L-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
4
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0004ZD-B4
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK3147L-E
Drain Current-Max (ID)
5 A
Part Package Code
DPAK(L)-(2)
Risk Rank
5.22
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code
不推荐
Number of Elements
1
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
达到SVHC
compliant
2SK3147L-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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