Renesas Electronics America 6167SA35DB
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6167SA35DB
2038-6167SA35DB
集成电路(IC)
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16K(16KX1)CMOS Static Ram
1最小包装量--
6167SA35DB详情
Renesas Electronics America 6167SA35DB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
20
Manufacturer Part Number
6167SA35DB
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Package Code
CDIP
Package Description
DIP, DIP20,.3
Manufacturer Package Code
CD20
Risk Rank
5.89
Access Time-Max
35 ns
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words
16384 words
Number of Words Code
16000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP20,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
20
JESD-30代码
R-CDIP-T20
资历状况
不合格
Brand Name
集成设备技术
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
16KX1
输出特性
3-STATE
内存宽度
1
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
16384 bit
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
6167SA35DB拓展信息
Renesas Electronics America
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