70T659S12BF8
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Renesas Electronics America 70T659S12BF8

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型号

70T659S12BF8

utmel 编号

2038-70T659S12BF8

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

起订量

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70T659S12BF8
70T659S12BF8 Renesas Electronics America 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

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70T659S12BF8详情

Renesas Electronics America 70T659S12BF8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    208

  • 终端数量

    208

  • Manufacturer Part Number

    70T659S12BF8

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    CABGA

  • Package Description

    LFBGA, BGA208,17X17,32

  • Manufacturer Package Code

    BF208

  • Risk Rank

    5.18

  • Access Time-Max

    12 ns

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    131072 words

  • Number of Words Code

    128000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    LFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA208,17X17,32

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Tape & Reel

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • ECCN 代码

    3A991

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn63Pb37)

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    208

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B208

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    集成设备技术

  • 工作电源电压

    2.5 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.6 V

  • 电源

    2.5,2.5/3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.4 V

  • 最大电源电压

    2.6 V

  • 最小电源电压

    2.4 V

  • 端口的数量

    2

  • 电源电流

    355 mA

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.355 mA

  • 访问时间

    12 ns

  • 组织结构

    128KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.5 mm

  • 内存宽度

    36

  • 地址总线宽度

    34 b

  • 密度

    4.5 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.01 A

  • 记忆密度

    4718592 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    36 b

  • 内存IC类型

    DUAL-PORT SRAM

  • 待机电压-最小值

    2.4 V

  • 长度

    15 mm

  • 宽度

    15 mm

  • 器件厚度

    1.4 mm

  • 辐射硬化

    无

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

70T659S12BF8拓展信息

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2SJ599-Z-E1-AY
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2SA1052MCTL-E
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2SB624-T1B-AT
2SB624-T1B-AT

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