71P74804S200BQ
71P74804S200BQ

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Renesas Electronics America 71P74804S200BQ

  • 收藏
  • 对比

型号

71P74804S200BQ

utmel 编号

2038-71P74804S200BQ

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

18Mb Pipelined QDR?II SRAM Burst of 4 1M x 18

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
71P74804S200BQ
71P74804S200BQ Renesas Electronics America 18Mb Pipelined QDR?II SRAM Burst of 4 1M x 18

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

71P74804S200BQ详情

Renesas Electronics America 71P74804S200BQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Manufacturer Part Number

    71P74804S200BQ

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    CABGA

  • Package Description

    13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

  • Manufacturer Package Code

    BQ165

  • Risk Rank

    5.85

  • Access Time-Max

    0.45 ns

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    200 MHz

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    1048576 words

  • Number of Words Code

    1000000

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    TBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • ECCN 代码

    3A991

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn63Pb37)

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    集成设备技术

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.5/1.8,1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    1MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    18

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    QDR SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

  • 长度

    15 mm

  • 宽度

    13 mm

0个相似型号

71P74804S200BQ拓展信息

2SJ133-Z-E2-AZ
2SJ133-Z-E2-AZ

Renesas Electronics America

2SJ599-Z-E1-AY
2SJ599-Z-E1-AY

Renesas Electronics America

2SK3749(0)-T1-A
2SK3749(0)-T1-A

Renesas Electronics America

2SK3054C-T1B-A
2SK3054C-T1B-A

Renesas Electronics America

29FCT520ATDB
29FCT520ATDB

Renesas Electronics America

2SD1368CCTL-E
2SD1368CCTL-E

Renesas Electronics America

2SC5543YA-TR-E
2SC5543YA-TR-E

Renesas Electronics America

2SC1623-T1B-AT
2SC1623-T1B-AT

Renesas Electronics America

2SA1052MCTL-E
2SA1052MCTL-E

Renesas Electronics America

2SB624-T1B-AT
2SB624-T1B-AT

Renesas Electronics America

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z