Renesas Electronics America FN4L4M-T1B-A

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

引脚数量

3

功率 - 最大

200mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 250μ, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最大耗散功率(Abs)

0.2W

电阻基(R1)

22 Ω

电阻-发射极基极(R2)

22 Ω

RoHS状态

符合RoHS标准