Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-83

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e6

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 37.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9700pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.015Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant