Renesas Electronics America HAT2088R-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

48 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

200V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

440m Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

8.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.44Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅