Renesas Electronics America HAT2116H-EL-E
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HAT2116H-EL-E
2038-HAT2116H-EL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
--最小包装量--
HAT2116H-EL-E详情
Renesas Electronics America HAT2116H-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
48 ns
Power Dissipation (Max)
15W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
30V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
30A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
15W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.2m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1650pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
55ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
HAT2116H-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
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Renesas
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