Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 450mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

350V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

900mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

漏极-源极导通最大电阻

3.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.2A

DS 击穿电压-最小值

350V

RoHS状态

ROHS3 Compliant