Renesas Electronics America HAT2192WP-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.23Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

250V

RoHS状态

ROHS3 Compliant