Renesas Electronics America HAT2197R-EL-E
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HAT2197R-EL-E
2038-HAT2197R-EL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
1最小包装量--
HAT2197R-EL-E详情
Renesas Electronics America HAT2197R-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
16A
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7m Ω @ 8A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2650pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 4.5V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.2 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0099Ohm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
HAT2197R-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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